旋轉整流二級管 ZX40 800V-1600V

北京創源立晶科技有限責任公司至力于推廣中國自主研發的晶閘管、平板型IGBT、功率模塊、功率組件，旋轉整流組件等產品。同時積極引進國外先進技術，提高研發生產能力。由我公司引進技術并研發生產的發電機旋轉勵磁整流組件，具有一至性好，高可靠性等特點，產品大量銷往海外，并已成功應用于國內諸多汽輪發電機重大項目。
  公司擁有先進的半導體器件檢測設備，可控硅全動態試驗臺由美國GE公司及西安整流器研究所設計并完成裝配。目前我公司可以為用戶提供的3-110萬千瓦汽輪發電機勵磁裝置旋轉整流管和組件，為用戶提供方便、可靠的產品與服務。公司設計制造了多種型材風冷、水冷、熱管自冷式一體化功率單元，同時按照客戶需求提供設計出圖，生產制造、檢測試驗、產品認證等一站式服務。保證核心器件的一致性和可靠性，為用戶提供真正意義的功率半導體解決方案。
   北京創源立晶科技有限責任公司秉承快速反應、持續改進的工作作風，融入世界的發展戰略，致力于提高品牌知名度的發展目標，建成國際一流、國內領先的功率半導體制造基地。公司未來將繼續在高電壓大電流、系統集成、技術領域尋求更大突破.公司全體員工將繼續以嚴謹熱情的態度為己任，同時熱誠邀請廣大用戶及同行參觀與交流，我們期待與您真誠的合作。

  目前，本公司的主要產品是10-1350MW汽輪發電機用無刷勵磁整流組件系列。
 300MW-1350MW汽輪發電機旋轉勵磁整流組件借鑒了西屋公司技術與上海汽輪發電機有限公司聯合研制的，技術參數指標達到或超過了原進口整流組件，我公司的旋轉整流組件已經使用在核電和多臺百萬千瓦級發電機。
無刷勵磁技術廣泛應用于發電機和電動機，特別是大型發電機。由于整流組件與機組的勵磁機轉子固定一體，同步旋轉，省去整流子、滑環和碳刷，所以具有有刷勵磁無法比擬的優越性。
1不需要對滑環和碳刷的維護，可靠性高；
2沒有碳粉和銅末引起的電機線圈的污染，絕緣壽命長；
3不產生磨擦火花，適于在條件惡劣的環境中運行。
旋轉勵磁整流組件由整流器、電容器、熔斷器、散熱器及導電件、絕緣件、緊固件等主要元器件和零部件組成。它具有體積小、功能強、技術含量高等優勢，是一種集熱學、力學和電學于一體的功能組件。
基于旋轉勵磁整流組件結構特殊和使用環境苛刻，本公司建立了一套完整的由中廣核和西門子公司認可的質量管理體系。從材料選擇、元器件篩選、外購件檢驗到加工工藝、安裝工藝及檢測都有嚴格的管理和檢驗。從而保證了本公司產品完全滿足西門子公司的技術要求，長期而可靠地運行。

3萬千瓦汽輪發電機旋轉勵磁整流組件

產品名稱：30MW汽輪發電機旋轉勵磁整流組件
正向額定電流：400安；
正向峰值壓降：1.20-1.25伏；
反向非重復峰值電壓：2000伏；
反向重復峰值電壓：2200伏；
連續額定最高結溫：175℃；
離心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
本產品為以生活垃圾或余熱為能源的2—3萬千瓦汽輪發電機組而專門研制生產的旋轉勵磁整流組件。
產品由整流器、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導電導熱件和保護電路組成。它具有體積小、容量大、重量輕、可靠性高、安裝組合方便等優點。特別適合于垃圾電廠和石油、化工等利用余熱發電的場合。

5-15萬千瓦空冷汽輪發電機旋轉勵磁整流組件
5—15萬千瓦汽輪發電機組技術參數如下：
產品名稱：5—15MW汽輪發電機旋轉勵磁整流組件
正向額定電流： 400安；
正向峰值壓降：1.20-1.25伏；
反向非重復峰值電壓：2000伏；
反向重復峰值電壓：2200伏；
連續額定最高結溫：175℃；
離心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
本產品為5萬—15萬千瓦空冷汽輪發電機組件無刷勵磁專用。
該產品是依托西門子西屋公司的空冷汽輪發電機組無刷勵磁技術與上海汽輪發電機有限公司聯合開發成功生產的，主要應用于5—15萬千瓦空冷汽輪發電機組的無刷勵磁系統。本產品結構科學合理，體積小，重量輕，安裝方便，可靠性高，整流元件正向特性一致性好，每個單元構成一個獨立的整流橋臂，可根據需要靈活組成所需系統。可長期在內徑為755.64mm的旋轉整流盤以3000轉/分鐘條件下長期、安全、可靠的工作。該組件所用整流元件為美國進口元件，與60萬千瓦、30萬千瓦汽輪發電機組用旋轉勵磁整流組件所采用的元件相同。亦專門與該組件配套使用的旋轉熔斷器。

30萬千汽輪發電機旋轉勵磁整流組件

產品名稱：300MW汽輪發電機旋轉勵磁整流組件
正向額定電流： 400安
正向峰值壓降：小于  1.20-1.25伏（±0.025伏）；
反向非重復峰值電壓：2000伏；
反向重復峰值電壓：2200伏；
連續額定最高結溫：175℃；
離心加速度耐量：6000g
切向加速度耐量：±500g
最高結溫：175℃；
重量：3316克±3克（3316克左右）
電容器：0.3uF±5%  4000V  ZXC
電容器熔斷器：15A   1000V   AC
組件由整流器、電容器、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導電導熱件和保護電路組成。可長期在直徑近一米的旋轉整流盤上3000轉/分鐘（或超速3300轉/分鐘60秒）的條件下安全、可靠的運行。目前，本產品除整流二極管為從美國進口外，其余全部為國產零部件。產品外觀見照片。

60萬千瓦汽輪發電機旋轉勵磁整流組件

產品名稱：100MW汽輪發電機旋轉勵磁整流組件
該組件主要技術參數如下：
額定電流：400安；
額定電壓：2000伏；
正向壓降：1.20±0.025伏；
結溫：175℃
離心加速度耐量：6000g；    
切向加速度耐量：±500g；
本產品為60萬千瓦汽輪發電機旋轉勵磁專用產品，用于國產60萬千瓦汽輪發電機的勵磁機。該組件的開發生產是利用引進美國西屋公司技術與上海汽輪發電機有限公司聯合研制成功的。
組件由整流器、電容器、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導電電熱件和保護電路組成。可長期在直徑近一米的旋轉整流盤上3000轉/分鐘（或超速3300轉/分鐘60秒）的條件下安全、可靠的運行。
目前，本產品除整流二極管為從美國進口外，其余全部為國產零部件。產品外觀見照片

100萬千瓦汽輪發電機旋轉勵磁整流組件

本產品為100萬千瓦汽輪發電機旋轉勵磁專用產品，用于國產100萬千瓦汽輪發電機的勵磁機。該組件的開發生產是利用引進美國西屋公司技術與上海汽輪發電機有限公司聯合研制成功的。2006年到2008年我公司已經為上海汽輪發電機有限公司配套16臺100萬千瓦勵磁機整流組件（每臺60只整流組件），其中10臺已經并網發電，至今都在安全正常運行。進口組件相比，無論從外觀還是熱、電、機等特性上，均優于進口組件。本產品為進口組件的完全替代產品，實現了國產大型發電機用旋轉勵磁整流組件的國產化,組件由整流器、散熱器及緊固件、絕緣件、導電電熱件和保護電路組成。可長期在直徑近一米的旋轉整流盤上3000轉/分鐘（或超速3600轉/分鐘60秒）的條件下安全、可靠的運行。
目前，本產品除整流二極管為從美國進口外，其余全部為國產零部件。產品外觀見照片.

TZXR型、ZL型防爆同步電機旋轉勵磁整流組件

正向額定電流：200—400安；
正向峰值壓降：1.20-1.38伏；
正向非重復峰值電壓：3200伏；
正向重復峰值電壓：3000伏；；
反向非重復峰值電壓：3200伏；
反向重復峰值電壓：3000伏；
門極觸發電流：50—100毫安；
門極觸發電壓：≤3伏；
離心加速度耐量：400g
切向加速度耐量：±200g
該產品是應用于WLK—03B型防爆同步電機旋轉整流組件。
組件由整流器、晶閘管、熔斷器、散熱器及緊固件、絕緣件、導電導熱件和觸發保護電路組成。
它具有防爆、可靠性高、安裝組合方便、失步自整同步等優點。特別是防爆水平達到國家防爆的要求。特別適合于周圍有可燃性氣體的危險環境。現已應用于石油、化工等要求防爆的場合。

旋轉勵磁整流元件產品介紹

1、國標旋轉整流管命名
ZX-500-Δ-ΔΔ：ZX-該項字母表示整流特性；500-該項數字表示IF(AV)；Δ該項表示極性，R表示負極性(底座為陽極),P：表示正極性(底座為陰極）；ΔΔ該項數字的100倍表示VRRM.
注：國外表示極性符號還有：R和S組合；U和ZX組合，其中R、U表示負極性（底座為陽極），S、ZX表示正極性（底座為陰極）。以上按國際通用標準命名。
2、通用旋轉整流管參數  
特點：可在較大離心力作用下工作。
應用： 使用于同步發電機和電動機旋轉勵磁裝置。
型號: ZX16、ZX25、ZX40、ZX70、ZX100、ZX200、ZX200、ZX300、ZX300、ZX400、ZX400、ZX500、ZX500、ZX800、ZX800、ZX860
外形尺寸請對照產品圖紙。
型號   額定電流 額定電壓 
ZX16  16A   800V-1600V
ZX25  25A   800V-1600V
ZX40  40A   800V-1600V
ZX70  70A   800V-1600V
ZX100  100A  800V-1600V
ZX200  200A  800V-1600V
ZX200  200A  1800V-3000V
ZX300  300A  800V-1600V
ZX300  300A  1800V-3000V
ZX400  400A  800V-1600V
ZX400  400A  1800V-3000V
ZX500  500A  800V-1600V
ZX500  500A  1800V-3000V
ZX800  800A  800V-1600V
ZX800  800A  1800V-3000V
ZX860  860A  1800V-2700V

產品名稱：平板型IGBT　CGF800/1700PcS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=1700（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集電極耗散功率 PC=4440（W）
工作結溫 Tj=－20~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=250（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=6(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=10(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關斷時間 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT CGD1100/1700PcS
產品特性：
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值(25℃）
集電極-發射極電壓 VCES=1700(V)
柵極-發射極電壓 VGES=±20(V)
集電極電流 IC＝1100(A)ICP=2200(A)
集電極耗散功率 PC=6216(W)
工作結溫 Tj=－20~125℃
存儲溫度  Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC=125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=250（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=6(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=10(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關斷時間 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF160/4500PFS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=160（A）ICP=320（A）
集電極耗散功率 PC=1270（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±20（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=30（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=2.9(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=6.9μs
關斷時間 Toff=4.8μs
二極管正向壓降 VF=2.8 V
二極管反向恢復時間 Trr=3.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF340/4500PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=340（A）ICP=680（A）
集電極耗散功率 PC=2700（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±7（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.9(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=5.2(V)
開通時間 Ton=6.9μs
關斷時間 Toff=4.8μs
二極管正向壓降 VF=3.8 V
二極管反向恢復時間 Trr=3.2 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF350/3300PFS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=350（A）ICP=700（A）
集電極耗散功率 PC=4500（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=200（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=6.5(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.0(V)
開通時間 Ton=1.5μs
關斷時間 Toff=4.5μs
二極管正向壓降 VF= 3.5V
二極管反向恢復時間 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF360/2500PfS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=360（A）ICP=720（A）
集電極耗散功率 PC=1800（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±7（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=10（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=2.4(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.0μs
關斷時間 Toff=8.8μs
二極管正向壓降 VF=2.35 V
二極管反向恢復時間 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF500/2500PfS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=500（A）ICP=1000（A）
集電極耗散功率 PC=2600（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±8（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=15（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關斷時間 Toff=10μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復時間 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF510/4500PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=510（A）ICP=1020（A）
集電極耗散功率 PC=4100（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±10（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=35（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=4.0(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=5.2(V)
開通時間 Ton=7.1μs
關斷時間 Toff=5.0μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復時間 Trr=3.8 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF600/3300PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集電極耗散功率 PC=7400（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=200（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=4.5(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.0(V)
開通時間 Ton=1.5μs
關斷時間 Toff=3.9μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF600/4500PfS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集電極耗散功率 PC=4800（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±7（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=4.1(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=5.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關斷時間 Toff=3.0μs
二極管正向壓降 VF=4.2 V
二極管反向恢復時間 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF800/2500PHS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集電極耗散功率 PC=4400（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關斷時間 Toff=9.8μs
二極管正向壓降 VF=3.2 V
二極管反向恢復時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF800/4500PLS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=800（A）ICP=1600（A）
集電極耗散功率 PC=6400（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=50（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.9(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關斷時間 Toff=3.0μs
二極管正向壓降 VF=3.8 V
二極管反向恢復時間 Trr=3.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF1000/2500PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集電極耗散功率 PC=4800（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=25（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.2μs
關斷時間 Toff=9.8μs
二極管正向壓降 VF= 3.2V
二極管反向恢復時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF1000/3300PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集電極耗散功率 PC=12250（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=200（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=6.5(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.0(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關斷時間 Toff=4.5μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復時間 Trr=1.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF1000/4500PLS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=4500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1000（A）ICP=2000（A）
集電極耗散功率 PC=7700（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±15（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=50（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.9(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=5.2(V)
開通時間 Ton=5.5μs
關斷時間 Toff=5.5μs
二極管正向壓降 VF=3.8 V
二極管反向恢復時間 Trr=2.0 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF1200/2500PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1200（A）ICP=2400（A）
集電極耗散功率 PC=5900（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±20（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=30（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.3(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關斷時間 Toff=9.8μs
二極管正向壓降 VF=2.8 V
二極管反向恢復時間 Trr=1.2 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF1200/3300PLS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=3300（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1200（A）ICP=2400（A）
集電極耗散功率 PC=14500（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±5（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=250（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=6(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=10(V)
開通時間 Ton=2.5μs
關斷時間 Toff=3μs
二極管正向壓降 VF=3.5 V
二極管反向恢復時間 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。

產品名稱：平板型IGBT　CGF1500/2500PJS
● 封裝和壓裝后的電氣特性
● 包含反并聯快速恢復二極管
● 增強型IGBT
產品參數：
最大額定值（25℃）
集電極-發射極電壓 VGES=2500（V）
柵極-發射極電壓 VCES=±20（V）
集電極電流 IC=1500（A）ICP=3000（A）
集電極耗散功率 PC=7800（W）
工作結溫 Tj=－40~125℃
存儲溫度 Tstg=－40~125℃
注：超過最大額定值可能導致器件損壞
電氣特性（TC＝125℃，不含結殼熱阻Rth）
柵極漏電流 IGES=±25（μA）
集電極-發射極截止電流 ICES=40（mA）
集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat)=3.2(V)
柵極-發射極閾值電壓 VGE(th)=6.3(V)
開通時間 Ton=3.5μs
關斷時間 Toff=5.8μs
二極管正向壓降 VF=2.9 V
二極管反向恢復時間 Trr=1.2 μs
平板型IGBT元件具有長期的高機械可靠性，它的高耐破損能力以及平板型結構的特點，可以較容易地用于串聯裝置中，而且與傳統的GTO晶閘管相比，IGBT是電壓驅動方式，故而使用方便，具有更大的安全動作范圍。