BSM150GT120DN2英飛凌IGBT模塊、INFINEON ,德國進(jìn)口
BSM150GT120DN2 產(chǎn)品屬性
制造商 Infineon
產(chǎn)品種類 IGBT 模塊
產(chǎn)品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 1200 V 集電極—射極飽和電壓 2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流 200 A 柵極—射極漏泄電流 320 nA
功率耗散 1.25 KW 最大工作溫度 + 150 C
封裝 / 箱體 EconoPACK 3A 柵極/發(fā)射極最大電壓 20 V
安裝風(fēng)格 Screw 工廠包裝數(shù)量 10
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