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尺寸：1210/3225（3.2MM*2.5MM） 

額定電壓：25V  50V  100V  250V   500V  1KV   2KV

容值：1NF-2.2NF-10NF-100NF-1UF-2.2UF-4.7UF-10UF-10UF-22UF-47UF-100UF

工作溫度:-55~+125度

溫度特性:NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃(EIA:ClassI)

X7R:≤±15%,-55～125℃(EIA:ClassII)

容量范圍:NPO:2pFto100nF;X7R:150pFto2.2uF

損失角正切(tan):NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%

絕緣電阻:10GΩ或500/CΩ取兩者最小值

老化速率:NPO:1%;X7R:2.5%一個(gè)decade時(shí)間

介質(zhì)電耐電壓:100V≤V<500V:200%

額定電壓:500V≤V<1000V:150%

額定電壓:1000v≤

各種電源.儀表,網(wǎng)絡(luò)通訊,安防產(chǎn)品專用,可取代插件CBB

常用規(guī)格如下：

1210-X7R-400V-104K

1210-X7R-500V-104K

1210-X7R-100V-225K

1210-X7R-100V-105K

1210-X7R-2KV-102K

1210-X7R-2KV-103K

1210-X7R-2KV-472K

1210-X7R-2KV-332K

1210-X7R-50V-106K

1210-X7R-50V-105K

1210-X7R-35V-226K

1210-X7R-50V-475K

1210-X7R-100V-475K

1210-X7R-630V473K

1210-X7R-1KV-333K

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陶瓷積層貼片電容優(yōu)勢與特性：

1．可以用做出小體積大容量的產(chǎn)品。

2。有助于提高生產(chǎn)效率，可以自動(dòng)化生產(chǎn)。

3.使用貴金屬生產(chǎn)，高穩(wěn)定性，耐高溫，可靠性好，壽命長。

4.可以替代CBB，鋁電解，使電子產(chǎn)品小型化，節(jié)省空間。產(chǎn)品更美觀，性能更優(yōu)越。

5。陶瓷電ESR小，可以用在部分高頻電路，產(chǎn)品工作效率更高。

高壓貼片電容的特性：

1.利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴(kuò)大
2.單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性
3.極高的精確度，在進(jìn)行自動(dòng)裝配時(shí)有高度的準(zhǔn)確性
4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計(jì)
6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源

高壓貼片電容廣泛用于:高頻無極燈電源, LED恒流驅(qū)動(dòng)電源,汽車HID燈(安定器),模塊電源、LED阻容降壓,、ASDL語音分離器、RJ45以太網(wǎng)接口、數(shù)碼相機(jī)的閃光燈、LED圣誕燈,節(jié)能燈等以及各類電子產(chǎn)品中.

主要用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌保護(hù)IC, 基本工作原理就是充電放電，當(dāng)然還有整流、振蕩以及其它的作用等作用。應(yīng)用于電源電路，實(shí)現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲(chǔ)能

一流的服務(wù)態(tài)度。優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品質(zhì)量。絕對的價(jià)格優(yōu)勢。售后放心
高壓貼片電容
高壓貼片電容又名陶瓷多層片式電容器，是一種用陶瓷粉生產(chǎn)技術(shù)，內(nèi)部為

貴金屬鈀金，用高溫?zé)Y(jié)法將銀鍍在陶瓷上作
為電極制成。產(chǎn)品分為高頻瓷介NPO（COG）和低頻瓷介X7R兩種材質(zhì)。NPO具有小

的封裝體積，高耐溫度系數(shù)的電容，高頻性
能好，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為電路濾波電容。X7R瓷介電容器限于在工作

普通頻率的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定
性和損耗要求不高的場合，這種電容器不宜使用在交流（AC）脈沖電路中，因?yàn)?span>

它們易于被脈沖電壓擊穿，所以不建義使用在
交流電路中。

高壓貼片電容分三類：
一類為溫度補(bǔ)償型NPO介質(zhì)
NP0又名COG電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變，屬超穩(wěn)定型

、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性
、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類為高介電常數(shù)型X7R介質(zhì)
X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容

器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時(shí)間的改變，
其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、

濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類為半導(dǎo)體型X5R介質(zhì)
X5R具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電

容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R，容量、
損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波

及傍路電路中。

優(yōu)點(diǎn)：封裝體積小，質(zhì)量穩(wěn)定，絕緣性能高，耐高壓缺點(diǎn)：容量較小，目前

最大100UF，易于被脈沖電壓擊穿。

性能參數(shù)：
1.材質(zhì)NPO（COG）。X7R.X5R.Y5V
2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
3.電壓6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
4.封裝0201-0805-1206-1812-2225
溫度特性:NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃(EIA:ClassI)

X7R:≤±15%,-55～125℃(EIA:ClassII)

容量范圍:NPO:2pFto100nF;X7R:150pFto2.2uF

損失角正切(tan):NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%

絕緣電阻:10GΩ或500/CΩ取兩者最小值

老化速率:NPO:1%;X7R:2.5%一個(gè)decade時(shí)間

介質(zhì)電耐電壓:100V≤V<500V:200%

額定電壓:500V≤V<1000V:150%

額定電壓:1000v≤

各種電源.儀表,網(wǎng)絡(luò)通訊,安防產(chǎn)品專用,可取代插件CBB