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| 制造商 | Infineon | 產品種類 | IGBT 模塊 |
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| 產品 | IGBT Silicon Modules | 配置 | Hex |
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO | 1200 V | 集電極—射極飽和電壓 | 2.2 V |
| 在25 C的連續集電極電流 | 35 A | 柵極—射極漏泄電流 | 300 nA |
| 功率耗散 | 180 W | 最大工作溫度 | + 125 C |
| 封裝 / 箱體 | EconoPIM2 | 柵極/發射極最大電壓 | +/- 20 V |
| 最小工作溫度 | - 40 C | 安裝風格 | Screw |
| 工廠包裝數量 | 500 |
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