原裝現貨供應西門康IGBT模塊SKM600GA123D

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

 
IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

北京京誠宏泰科技專業代理及經銷品牌功率器件:
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SEMITRANS系列IGBT/MOSFET模塊適用于非常廣泛的各種各樣的應用，如開關，AC逆變驅動，DC伺服驅動以及機器人驅動，UPS，電焊機，開關磁阻電機，DC/DC ,DC斬波，剎車斬波， 模塊電流范圍是35-900A，電壓等級有600V/1200V/1700V。
IGBT/MOSFET模塊有多種優勢，如低電感封裝設計，高絕緣耐壓值以及廣泛的客戶訂制化的解決方案和封裝類型。 
Technical Explanations

德國SEMIKRON 西門康 IGBT模塊系列：
德國SEMIKRON西門康IGBT模塊1單元1200V/1700V系列：
SKM152GA123 SKM200GA123D SKM300GA122D SKM300GA123D
SKM400GA123D SKM400GA124D SKM400GA128D SKM500GA123D
SKM500GA124D SKM500GA128D SKM600GA124D SKM300GA173D
SKM400GA173D SKM500GA174D SKM500GA173D SKM600GA123D
SKM300GA12T4 SKM400GA12T4 SKM600GA12T4