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原裝現(xiàn)貨供應(yīng)西門康IGBT模塊SKM600GA12T4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
北京京誠宏泰科技專業(yè)代理及經(jīng)銷品牌功率器件:
英飛凌,三菱,富士,東芝,三社,西門子,西門康,IXYS,IR,eupec,等功率模塊
GTR,IGBT,IPM,PIM,GTO,ABB配件,西門子配件,可控硅,整流橋,二極管,場效應(yīng)及電解電容. 歡迎新老客戶來電來函詳談.
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SEMITRANS系列IGBT/MOSFET模塊適用于非常廣泛的各種各樣的應(yīng)用,如開關(guān),AC逆變驅(qū)動,DC伺服驅(qū)動以及機器人驅(qū)動,UPS,電焊機,開關(guān)磁阻電機,DC/DC ,DC斬波,剎車斬波, 模塊電流范圍是35-900A,電壓等級有600V/1200V/1700V。
IGBT/MOSFET模塊有多種優(yōu)勢,如低電感封裝設(shè)計,高絕緣耐壓值以及廣泛的客戶訂制化的解決方案和封裝類型。
Technical Explanations
德國SEMIKRON 西門康 IGBT模塊系列:
德國SEMIKRON西門康IGBT模塊1單元1200V/1700V系列:
SKM152GA123 SKM200GA123D SKM300GA122D SKM300GA123D
SKM400GA123D SKM400GA124D SKM400GA128D SKM500GA123D
SKM500GA124D SKM500GA128D SKM600GA124D SKM300GA173D
SKM400GA173D SKM500GA174D SKM500GA173D SKM600GA123D
SKM300GA12T4 SKM400GA12T4 SKM600GA12T4