【原裝正品】三菱IPM模塊PM800HSA120【現(xiàn)貨直銷】

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IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，

其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，

因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。

IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:

H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、

D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)

C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和

R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。

IPM內(nèi)部功能機(jī)制

IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統(tǒng)開

發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT模塊相比，

IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。

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