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一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié),有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí),位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子,能通過(guò)大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱(chēng)為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過(guò)很小的反向電流(稱(chēng)反向漏電流),稱(chēng)為反向阻斷狀態(tài)。整流二極管具有明顯的單向?qū)щ娦浴U鞫O管可用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿)。這種器件的結(jié)面積較大,能通過(guò)較大電流(可達(dá)上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達(dá)到全波整流需連成整流橋使用。
一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié),有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)端子。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí),位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子,能通過(guò)大電流,具有低的電壓降(典型值為0.7V),稱(chēng)為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過(guò)很小的反向電流(稱(chēng)反向漏電流),稱(chēng)為反向阻斷狀態(tài)。整流二極管具有明顯的單向?qū)щ娦浴U鞫O管可用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿)。這種器件的結(jié)面積較大,能通過(guò)較大電流(可達(dá)上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路,如需達(dá)到全波整流需連成整流橋使用。