單片機性能特性： 

? 可選擇內部和外部振蕩器 

- 內部高精度 4 MHz 振蕩器，出廠時精度校準為±1% 

- 可使用晶振和諧振器作為外部振蕩器 

- 電壓典型值為 3.0V 時，從休眠模式喚醒只需5 μs 

? 省電休眠模式 

? 寬工作電壓范圍：2.0V 到 5.5V 

? 工業級和擴展級溫度范圍 

? 低功耗的上電復位 （POR） 

? 上電定時器 （PWRT）和振蕩器起振定時器（OST） 

? 欠壓檢測 （BOD） 

? 帶有獨立振蕩器的看門狗定時器 （WDT）以保證可靠運行 

? 復用 MCLR/ 輸入引腳 

? 引腳電平變化可觸發中斷 

? 獨立的可編程弱上拉功能 

? 可編程代碼保護 

? 高持久性的 FLASH/EEPROM 單元 

- FLASH 可經受 100,000 次寫操作 

- EEPROM 可經受 1,000,000 次寫操作 

- FLASH/數據EEPROM的數據保存期超過40年

低功耗特性： 

? 待機電流： 

- 1 nA@2.0V，典型值 

? 運行電流： 

- 8.5 μA@32 kHz， 2.0V，典型值 

- 100 μA@1 MHz， 2.0V，典型值 

? 看門狗定時器電流： 

- 300 nA@2.0V，典型值 

? Timer1 振蕩器電流： 

- 4 μA@32 kHz， 2.0V，典型值