EN8F509 直接替代PIC12F508/509 低成本高性能的8位單片機(jī)

高性能 RISC CPU：
?  采用RISC架構(gòu)，僅有36條單字/單周期指令
 （除程序跳轉(zhuǎn)指令外的所有其他指令都是單周期指令,程序跳轉(zhuǎn)指令是雙周期指令）
?  二級(jí)深的硬件堆棧
?  12位寬指令集，8位寬的數(shù)據(jù)路徑
?  數(shù)據(jù)和指令的直接、間接和相對(duì)尋址模式
?  可擦寫(xiě)flash芯片，片內(nèi)閃存（ROM）為1K字，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量（RAM）為64字節(jié)
?  GP0~3都可睡眠喚醒，且可通過(guò)軟件獨(dú)立設(shè)置內(nèi)部上拉
?  工作速度：可通過(guò)軟件設(shè)置為內(nèi)部4MHZ或者 8MHZ，精度為2%
?  工作電壓2.0V~5.5V，實(shí)際操作可以到達(dá)1.8V-6.6V,但保證電壓還是2.0V~5.5V。
?  有可選電源低壓檢測(cè)，欠壓復(fù)位功能（PED），三級(jí)欠壓復(fù)位
單片機(jī)的特性：
?  上電復(fù)位（Power-on Reset,POR）
?  器件復(fù)位定時(shí)器（Device Reset Timer,DRT）
?  具有專(zhuān)用片內(nèi)RC振蕩器的看門(mén)狗定時(shí)器（WDT），能夠可靠地工作
?  代碼保護(hù)功能
?  I/O引腳上的內(nèi)部弱上拉
?  節(jié)省功耗的休眠模式
?  在引腳電平發(fā)生變化時(shí)從休眠模式喚醒
低功耗特性 CMOS 技術(shù)：
?  工作電流：
-  在2V、4MHz 時(shí) < 170 uA
?  待機(jī)電流：
-  2V 時(shí)典型值小于100 nA
?  全靜態(tài)設(shè)計(jì)
?  寬工作電壓范圍：2.0V到5.5V
外設(shè)功能：
?  6 個(gè) I/O 引腳：
-  5 個(gè)具有獨(dú)立方向控制的I/O引腳
-  1 個(gè)僅輸入的引腳
-  高灌 / 拉電流可直接驅(qū)動(dòng)LED
-  每個(gè)I/O引腳都具有電平變化時(shí)喚醒
-  弱上拉(GP0~GP5)
?  具有8位可編程預(yù)分頻器的8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器：（TMR0）