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技術參數

備注：根據用戶要求可提供不同粒度的產品。詳細資料請見產品文檔。

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產品性能

納米硅粉具有高純度、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點，本產品熔點高達1410攝氏度，沸點為2355攝氏度，電離能8.151電子伏特，納米硅具有無毒、無味、高表面活性的特點，是新一代的光電半導體材料，具有較寬的間隙能半導體，也是高功率的光源材料
主要用途：充電鋰電池負極材料
用納米硅粉做成納米硅線用在充電鋰電池負極材料里，或者在納米硅粉表面包覆石墨用做充電鋰電池負極材料，提高了充電鋰電池3倍以上的電容量和充放電循環次數。由于納米硅對與鋰電池的高吸收率，將納米硅用與鋰電池可以大幅度提高鋰電池的容量（理論可以達到4000mA／h），同時利用世界先進技術，將納米硅粉表面包覆石墨，組成Si-C復合材料，可以有效的降低由于硅吸收鋰離子時的膨脹，同時可以加大與電解液的親和力，易與分散，提高循環性能。

納米硅防水劑
性能特點：白色乳液，無毒，無刺激味，不燃燒，pH值12，密度1.15～1.2.
適用范圍：用于磚瓦、水泥、石膏、石灰、涂料、石棉、珍珠巖、保溫板等基面上具有優異的防水抗滲效果。
效果：有防止建筑物風化、凍裂及外墻保潔、防污、防霉、防長青苔之功能；質量可靠，耐久性好，耐酸堿，耐候性優良，對鋼筋無銹蝕，且使用安全，施工方便。
其它指標：砂漿抗滲性能≥S14，混凝土抗滲性能≥S18.技術性能符合JC474–1999［漿、混凝土防水劑］標準及JC／T902-2002標準。
納米硅半導體發光材料
硅基發光材料和器件的基礎研究-我們在硅襯底上設計了十來種硅／氧化硅納米結構，實現了從近紫外到近紅外的各主要波段（包括1.54和1.62μm）的光致發光和正向或反向偏壓下的低閾值電壓電致發光，并提出了受到廣泛支持的光致發光和電致發光模型，這為最終實現硅基光電集成打下一定的基礎。具有重要的科學意義和巨大的應用前景。（1）通過改變富硅量、退火條件等，控制氧化硅中硅納米晶的尺寸及密度。文獻認為出現硅納米晶的臨界溫度是1000oC，而我們通過試驗確定出現納米晶的臨界退火溫度為900oC.右圖是經900oC退火富硅量約為30％富硅氧化硅的高分辨電鏡象。可以清楚硅納米晶。圖左上角是它的電子衍射圖。（2）首次觀察到Au／（Ge／SiO2）超晶格／p-Si結構的電致發光。右圖出四周期Ge／SiO2超晶格的高分辨電鏡圖。其中亮線為SiO2，厚度為2.0nm，Ge層厚為2.4nm.
（3）在硅襯底上用磁控濺射技術生長了納米SiO2／Si／SiO2雙勢壘（NDB）單勢阱三明治結構，首次實現Au／NDB／p-Si結構的可見電致發光。發現電致發光的峰位、強度隨納米硅層厚度（W）的改變作同步振蕩，如右圖所示。進一步試驗和分析證明，振蕩周期等于1／2載流子的deBroglie波長。用我們組提出的電致發光模型作了解釋。
（4）首次在用磁控濺射生長的SiO2：Si：Er薄膜的基礎上實現了波長為1.54μm（光通訊窗口）的Er電致發光。
（5）在熱處理ITO／自然氧化硅／p-Si中首次獲得低閾值電壓的360nm的紫外電致發光，是已報道的最短波長的硅基電致發光。