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芯片特性:
1.介紹:
EN8F630 是低成本、高性能、8 位、全靜態flash 的CMOS 單片機。采用RISC 架構,僅有37 條單字/ 單周期指令。除程序跳轉指令為兩個周期外的所有其他指令都是單周期的。EN8F630 器件的性能比同價位的同類產品要高出很多。易于使用且便于記憶的指令集大大縮短了開發時間。
2.構架描述:
高性能RISC CPU:
? 采用RISC 架構,僅有37 條單指令
(除程序跳轉指令外的所有其他指令都是單周期指令,程序跳轉指令是雙周期指令)
? 8 級深的硬件堆棧
? 14 位寬指令集, 8 位寬的數據路徑
? 可擦寫flash 芯片,片內閃存(ROM)為1K 字,數據存儲容量(RAM)為64 字節
? EEPROM 大小為128 字節
? 數據和指令的直接、間接和相對尋址模式
? PA0~5 可睡眠喚醒,且可通過軟件獨立設置內部上拉
? 工作電壓2.0V~5.5V
? 有可選電源低壓檢測,欠壓復位功能(PED),三級欠壓復位
? 有中斷功能
? 定時器0:帶3 位預分頻器8Bit 定時器
? 定時器1:帶2 位預分頻器16Bit 定時器
? 1 個模擬比較器模塊
? 自振式看門狗定時器
? 12 個可獨立直接控制I/O 口
? 工作速度:內部4M/8M 振蕩器
單片機的特性:
? 上電復位(Power-on Reset,POR)
? 低電壓檢測(LVD)和欠壓復位(BOR)
? 上電復位(Power-on Reset,POR)
? 具有專用片內RC 振蕩器的看門狗定時器(WDT),能夠可靠地工作
? 代碼保護功能
? 獨立的可編程弱上拉功能
? 節省功耗的休眠模式
? 可選的振蕩器選項:
- IRC:4M/8MHz 內部振蕩器
- RC:廉價RC 震蕩器
- LFXT:低頻晶體振蕩器
- XTAL:標準晶體振蕩器
? 高耐久性的閃存/EEPROM 存儲單元
-閃存耐寫次數達到100,000 次
-EEPROM 耐寫次數達到1,000,000 次
-閃存/數據EEPROM 的數據保存期>40 年
低功耗特性CMOS 技術: