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三氟化氮是用作氟化氫－氟化氣高能化學激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應能的有效部分（約25％）可以以激光輻射釋放出，所HF-OF激光器是化學激光器中最有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術的發展和電子工業大規模的發展技術，它的需求量將日益增加。