涂層的PVD技術：

增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效的控質，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。

過濾陰極?。哼^濾陰極弧（FCA）配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生等離子體中的宏觀粒子，離子團過濾干凈，經過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。

磁控濺射：在真空環境下，通過低電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子，原子或分子的形式被彈出并沉積在基材上形成薄膜。根據使用的電力電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整在上的電壓控制，碳氫離子束被引到基材上，沉積速度與離子電流密度成正比。德耐涂層的離子束采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好，離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在于可沉積薄膜以及多層結構，工藝控制精度可達0.5微米，并可將工藝過程中的顆粒污染所帶來的缺陷降至最小。

真空膜的特點：

能在金屬，半導體，絕緣體甚至塑料，紙張，織物表面上沉積金屬，半導體，絕緣體，不同成分比的合金，化合物及部分有機聚合物等的薄膜，其適用范圍之廣是其他方法無法與之比擬的；可以不同的沉積速度，不同于基板溫度和不同的蒸汽分子入射角蒸鍍成膜，因而可得到不同顯激結構和結晶形態（單晶，多晶或非晶體等）的薄膜；

薄膜的純度很高；

易于在線檢測和控制薄膜的厚度與成分。厚度控制精度最高可達單分子層量級；

排出污染物很少且基本上沒有。