Honeywell 霍尼韋爾氣體探測器XNX-UTAV-NHCB1硫化氫探頭 

 QLC閃存每單元可以保存4比特數據，相比TLC又多了三分之一，這樣既有利于做大容量，也有利于降低成本，必然是閃存廠商們未來的重點。

  而在容量上，TB時代也逐步逼近。NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會向512GB過渡，技術成熟以后量產到1TB技術。隨著QLC的量產，即使采用64層QLC也可以量產1T容量。

  值得一提的是，國內企業在閃存技術上也有突破。存儲器新勢力長江存儲公司就在2018年發布了自主創新的Xtacking架構。該架構可用于消費級/企業級SSD還有UFS閃存，且實現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發和制造工藝將大幅縮短新一代3DNAND的上市時間，并使NAND產品定制化成為可能。并且，在一向薄弱的SSD主控芯片領域，國內企業今年也有新品問世。相信在2019年，這種趨勢會延續下去。