TDK貼片電容主要是清除由芯片自身產生的各種高頻信號對其他芯片的串擾，從而讓各個芯片
模塊能夠不受干擾的正常工作。在高頻電子振蕩線路中，貼片電容與晶體振蕩器等元件一
起組成振蕩電路，給各種電路提供所需的時鐘頻率。
TDK貼片電容有貼片式陶瓷電容、貼片式鉭電容、貼片式鋁電解電容。貼片式陶瓷電容無極性，
容量也很小，一般可以耐很高的溫度和電壓，常用于高頻濾波。陶瓷電容看起來有點像貼
片電阻，但貼片電容上沒有代表容量大小的數字。
TDK貼片電容的特點是壽命長，耐高溫、準確度高、濾高頻改波性能極好，不過容量較小、價
格也比鋁電容貴，而且耐電壓及電流能力相對較弱。它被應用于小容量的低頻濾波電路中。
TDK貼片電容與陶瓷電容相比，其表面均有電容容量和耐壓標識，其表面顏色通常有黃色和黑色兩種。
TDK貼片式鋁電解電容擁有比貼片式鉭電容更大的容量，其多見于顯卡上，容量在300μF~1500μF之間，
其主要是滿足電流低頻的濾波和穩壓作用。
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額定電壓的選擇 ? ?電容器的工作電壓必須低于額定電壓，不得超過額定電壓使用。
例如工作電壓為12V時可選額定電壓16～25V；工作電壓為5V時可選6～10V；工作電壓為
3.3V時，可選4～6V。這要看工作電壓的穩定度及紋波電壓大小而定。要注意的是電容量
與耐壓有關。例如片狀鉭電容耐壓4～50V，0.1～4.7μF小容量有額定電壓為50V的，若
10μF以上要高于25V就少見，若47μF則一般僅16V為多，要25V也較難買到。所以在設計
上，在電容器容量大于47μF時，不要選擇額定電壓過高于工作電壓，一則市場上難買到
（訂貨周期長），二則額定電壓高的電容器尺寸大、價位高（25V的要比50V的便宜20%），
會提高產品成本。在設計選用時務必要根據工作電壓來選擇額定電壓。
合理地選擇電容器精度及材料類別 ? ?市售的片狀電容器的精度在103以下的其
精度可達J級（±5%）；在103以上則J級較少、以K級（±10%）居多；在104以上則以M級
（±20%）為主。例如，在諧振回路中，為保證性能穩定，要采用C0G Ⅰ類材料及J級片狀
多層陶瓷電容器，如在IC的電源正端往往要連接一個0.1μF的旁路電容，則可選Ⅲ類材料、
M級精度的片狀多層陶瓷電容器。這樣既能保證產品精度要求，又能降低產品成本。能直接
從市場上買到的電容器來設計、試制、對加快設計、縮短生產周期是極有利的，在經濟上也
是有利（電容器一類元件的最低訂貨量相當大、并且訂貨周期要1～3個月，往往使設計者難
以接受。設計者要了解市場的供貨情況，避免“閉門造車”。
市場上尺寸代碼為0805的片狀電容器的容量規格（系列）最齊全，而0603的一些偏
僻的容量可能會缺貨。在生產批量不太大時，為防止市場缺貨而影響生產，可以將焊盤稍作
延伸，使它能適用于0603及0805，可避免造成缺件而停產的問題。
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片狀多層陶瓷電容器都是卷裝的，型號在帶盤上，而電容器上無任何標志。雖然可
以用測量方法知道其容量，但很難區別材料類別的精度等級，在使用過程中（特別是手工裝
配）務必小心。
敞開式片狀微調電容器不能用波峰焊，而封閉式片狀微調電容器可用波峰焊。
C0G (EIA code) 或者叫 NP0 (產業習慣稱呼) 所用的材料一般收到溫度影響比較小
（Negative-Positive zero），溫度系數在0±30ppm/℃以內，電容值隨頻率和電壓變
化小于±0.05%。正因為C0G/NP0 所用的電介質lose比較小,所以呢，多會用在濾波器，
時鐘電路，還有晶振匹配電路中；高頻特性較好，最高可用到G bit級的電路中。但是這
類電容容值比有限，一般<10nF.
其它常用的一類電介質材料：P350, N1000/M3K.
X7R是在工業中被廣泛采用的一種溫度穩定型電容器，具有中等介電常數，電氣性能較
穩定，在溫度、電壓等改變時，性能變化并不顯著，適用于隔直、耦合、旁路與容量穩定
性要求不太高的鑒頻電路。在使用溫度（-55℃~+125℃）范圍內容值變化率在±15%以內，
老化率為10年1%。X7R是一種強電介質，所以這種電容一般在100pF~2.2uF。
Y5V這種材料具有較高的介電常數，常用于生產比容較大的大容量電容器產品，可以用小
的尺寸做大容量的電容，但其容量穩定性較X7R差，容量、損耗對溫度，電壓等測試條件較
敏感。Y5V是一種普通用途的電容器，在使用溫度（-30~+85℃）范圍內容值變化率較大，
+22/-82%以內，老化率為10年5%。容值范圍 1000pF~10μF。
