ST2319SRG替代Si2319CDS、Si2319DDS

描述
ST2319SRG是P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管
采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程
特別是定制，以盡量減少對國家的阻力。這些設備是特別
適用于低電壓應用，如蜂窩電話和筆記本電腦
電源管理和其他電池供電的電路，高側開關和
在一個非常小的輪廓表面貼裝封裝需要低的在線功率損耗

特征
- 40V / -3.5a，RDS（上）= 75mΩ（典型值）
@ VGS = - 10V
- 40V / -2.8a，RDS（上）＝105mΩ
@ VGS = 4.5v
超高密度電池設計
極低的RDS（on）
特殊的阻力和最大
直流電流的能力

SOT-23封裝設計