氣體傳感器規格

半導體氣體傳感器可分為電阻型和非電阻型(結型、MOSFET型、電容型)。電阻型氣敏器件的原理是氣體分子引起敏感材料電阻的變；非電阻型氣敏器件主要有M()s二極管和結型二極管以及場效應管(M()SFET)，它利用了敏感氣體會改變MOSFET開啟電壓的原理，其原理結構與ISFET離子敏傳感器件相同。

氣體傳感器種類

氣敏二極管的特性曲線左移可以看作二極管導通電壓發生改變，這一特性如果發生在場效應管的柵極，將使場效應管的閾值電壓UT改變。利用這一原理可以制成MOSFET型氣敏器件。

氫氣敏MOSFET是一種最典型的氣敏器件，它用金屬鈀(Pd)制成鈀柵。在含有氫氣的氣氛中，由于鈀的催作用，氫氣分子分解成氫原子擴散到鈀與二氧硅的界面，最終導致MOSFET的閾值電壓UT發生變。使用時常將柵漏短接，可以MOSFET工作在飽和區，此時的漏極電流ID=β(UGS—UT)2，利用這一電路可以測出氫氣的濃度。

氣體傳感器樣式

4、穩定性

實際應用中，存在UT隨時間漂移的特性，為此，采用在HCl氣氛中生長一層SiO2絕緣層，可以顯著改善UT的漂移。

除氫氣外，其他氣體不能通過鈀柵，制作其他氣體的Pd—MOSFET氣敏傳感器要采用一定措施，如制作CO敏MOSFET時要在鈀柵上制作約20nm的小孔，就可以允許CO氣體通過。另外，由于Pd—MOSFET對氫氣有較高的靈敏度，而對CO的靈敏度卻較低，為此可在鈀柵上蒸發一層厚約20nm的鋁作保護層，阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應的催作用較弱，為此，要先在SiO2絕緣層上沉淀一層活性金屬，如Pt、Ir、La等。再制作鈀柵，可制成氨氣敏MOSFET。