在200mm晶圓時(shí)代, 介質(zhì)、多晶以及金屬刻蝕是刻蝕設(shè)備的三大塊. 進(jìn)入300mm時(shí)代以后, 隨著銅互連的發(fā)展, 金屬刻蝕逐漸萎縮, 介質(zhì)刻蝕份額逐漸加大. 介質(zhì)刻蝕設(shè)備的份額已經(jīng)超過(guò)50%以上. 而且隨著器件互連層數(shù)增多, 介質(zhì)刻蝕設(shè)備使用量就越大.

為了適應(yīng)工藝發(fā)展需求, 各家設(shè)備廠商都推出了一系列的關(guān)鍵技術(shù)來(lái)滿足工藝需求. 主要有以下幾類(lèi):

1:雙區(qū)進(jìn)氣+additional Gas: Additional Gas的目的是通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個(gè)刻蝕均一性, 結(jié)果比較明顯.
2:等離子體技術(shù): 等離子體密度和能量單獨(dú)控制
3:等離子體約束: 減少Particle, 提高結(jié)果重復(fù)性
4:工藝組件: 適應(yīng)不同工藝需求, 對(duì)應(yīng)不同的工藝組件, 比如不同的工藝使用不同的Focus Ring

5: Narrow Gap: 窄的Gap設(shè)計(jì)可以使得電子穿過(guò)殼層, 中和晶圓上多余的離子, 有利于提高刻蝕剖面陡直度.
6:反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；由200mm時(shí)的側(cè)抽, 改為下抽或者側(cè)下抽. 有利于提高氣流均一性.

隨著工藝的發(fā)展需求, 離子源被逐漸用于刻蝕設(shè)備，上海伯東代理美國(guó)考夫曼 KRI 離子源, 其產(chǎn)品霍爾離子源 EH400 HC 成功應(yīng)用于離子蝕刻 IBE.

霍爾離子源離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性, 霍爾源單次使用長(zhǎng)久, 耗材成本極低, 操作簡(jiǎn)易, 安裝簡(jiǎn)易, 因此美國(guó)考夫曼霍爾離子源廣泛應(yīng)用于蝕刻制程及基板前處理制程.

霍爾離子源客戶案例一: 某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備
系統(tǒng)功能: 對(duì)于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項(xiàng)材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國(guó)考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC

霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi)

離子源 EH400HC 自動(dòng)控制單元

霍爾離子源 EH400HC 通氬氣

對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec

對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 ?/Sec

霍爾離子源 EH400HC 特性:
1. 高離子濃度, 低離子能量
2. 離子束涵蓋面積廣
3. 鍍膜均勻性佳
4. 提高鍍膜品質(zhì)
5. 模塊化設(shè)計(jì), 保養(yǎng)快速方便
6. 增加光學(xué)膜后折射率 (Optical index)      
7. 全自動(dòng)控制設(shè)計(jì), 操作簡(jiǎn)易
8. 低耗材成本, 安裝簡(jiǎn)易
 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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