寬溫系列

概述:

ddr4 WT (寬溫度) udimm 提供了業(yè)界快的內(nèi)存速度，2666mt / s-完美適合任何車載，監(jiān)視，自動化和嵌入式應(yīng)用程序。 這些模塊符合所有相關(guān)的 jedec 標(biāo)準(zhǔn)，可以在 -40 °c 到85 °c 的溫度下工作，有4gb，8gb，16gb 和32gb 的容量。 2133mt / s 和2400mt / s 模塊也可用。

宜鼎全面抗硫化技術(shù)

硫在很多環(huán)境中都很常見，而在工業(yè)環(huán)境下，當(dāng)DRAM中的銀合金接觸硫化氣體時(shí)，就會發(fā)生腐蝕反應(yīng)，并降低導(dǎo)電性并導(dǎo)致產(chǎn)品失效。宜鼎所推出的專業(yè)抗硫化技術(shù)，通過抗硫化ASTM B809-95的嚴(yán)格測試規(guī)范，能有效抵御

環(huán)境中的硫化影響。

提供完美保護(hù)展現(xiàn)高效性能

面對日益嚴(yán)峻的工業(yè)環(huán)境，我們?nèi)詧?jiān)持提供品質(zhì)的產(chǎn)品，硫化氣體所帶來的威脅，我們率先為全系列DDR4都加入抗硫化技術(shù)，為每一件產(chǎn)品提供離保護(hù)，以領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，將產(chǎn)品規(guī)格全面提升。

抗硫納入標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品極限再突破

硫化物對于工業(yè)環(huán)境是一個(gè)潛在威脅，環(huán)境中只存在著極少量的硫化氣體，它可能造成設(shè)備腐蝕。宜鼎抗硫化隔離技術(shù)，可以確保DRAM模組完美運(yùn)行無虞。

推薦產(chǎn)品： 工業(yè)用內(nèi)存模塊

DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM

DDR4 ECC UDIMM VLPDDR4 ECC SODIMM

DDR4 Mini ECC VLPDDR4 Mini RDIMM VLP

DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM

DDR4 ECC UDIMM VLPDDR4 ECC SODIMM

DDR4 Mini ECC VLPDDR4 Mini RDIMM VLP

DDR4 RDIMM VLPDDR4 RDIMM

現(xiàn)今PCB (印刷電路板)已朝向越來越小、功能越來越強(qiáng)的趨勢發(fā)展。當(dāng)PCB上面的焊接點(diǎn)隨之縮小時(shí)，很容易受到高溫與外部壓力的影響，致使芯片松脫、系統(tǒng)不穩(wěn)。而使用Side Fill 技術(shù)使其強(qiáng)固化，則是符合經(jīng)濟(jì)效益的方式。
惡劣環(huán)境，無所動搖
Side Fill 技術(shù)可讓芯片與電路板之間的焊接點(diǎn)更加穩(wěn)固，即使長期處于惡劣的環(huán)境中，受到極端的外力沖擊或振動，依然不受影響而穩(wěn)定運(yùn)作。
強(qiáng)韌黏著，高熱無懼
因溫度變化所形成的熱脹冷縮，經(jīng)常造成焊接點(diǎn)脫落或接觸不良，致使系統(tǒng)不穩(wěn)定。透過點(diǎn)膠 (Side Fill) 技術(shù)，可讓每個(gè)組件擁有更強(qiáng)韌的黏著度而不易與PCB脫落。此外，我們另配有額外的散熱片，可幫助內(nèi)存更快散熱。

超低成本，極高回報(bào)

Side Fill 技術(shù)是一種簡單又經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的強(qiáng)固型解決方案，若您的產(chǎn)品常因極端環(huán)境影響，造成維護(hù)成本增加，使用Side Fill 技術(shù)進(jìn)行設(shè)備強(qiáng)固化，將會是好的解決方案。這種做法不僅節(jié)省成本，亦可降低系統(tǒng)當(dāng)機(jī)所帶來的損失。