LED節(jié)能燈產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀LED是LIGHTEMITTINGDIODE的簡(jiǎn)稱，LED是由半導(dǎo)體材料所制造出來的發(fā)光組件，發(fā)光組件的原理很簡(jiǎn)單，組件具有兩個(gè)電極端子，在端子間施加電壓，再通入極小的電流，再經(jīng)由電子等的結(jié)合，將聲音的能量以光的形式釋放出。目前LED產(chǎn)品的主要應(yīng)用有這幾個(gè)方面：顯示屏、交通訊號(hào)顯示光源的應(yīng)用；汽車工業(yè)上的應(yīng)用；LED作為L(zhǎng)CD背光源應(yīng)用LED照明光源等幾個(gè)方面。LED產(chǎn)業(yè)在我國(guó)主要包括了LED外延片的生產(chǎn)、LED芯片的生產(chǎn)與封裝、LED產(chǎn)品的應(yīng)用等。

高溫煅燒后的爐料從外到內(nèi)分別是：未反應(yīng)料(在爐中起保溫作用)、氧碳化硅羼(半反應(yīng)料，主要成分是C與SiO。)、粘結(jié)物層(是粘結(jié)很緊的物料層，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽)、無定形物層(主要成分是70%～90%SiC，而且是立方SiC即β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽)、二級(jí)品SiC層(主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC即口一SiC，但結(jié)晶體較小、很脆弱，不能作為磨料)、一級(jí)品SiC層(SiC含量<96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大結(jié)晶體)、爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級(jí)品、部分粘結(jié)物一起收集為回爐料，而一些粘結(jié)很緊、塊度大、雜質(zhì)多的粘結(jié)物則拋棄之。而一級(jí)品則經(jīng)過分級(jí)、粗碎、細(xì)碎、化學(xué)處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程；要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程。
產(chǎn)能及需求 
產(chǎn)能情況
有碳化硅冶煉企業(yè)200多家，年生產(chǎn)能力220多萬噸（其中：綠碳化硅塊120多萬噸，黑碳化硅塊約100萬噸）。冶煉變壓器功率大多為6300~12500kVA，冶煉變壓器為32000kVA。加工制砂、微粉生產(chǎn)企業(yè)300多家，年生產(chǎn)能力200多萬噸。2012年，碳化硅產(chǎn)能利用率不足45%。約三分之一的冶煉企業(yè)有加工制砂微粉生產(chǎn)線。碳化硅加工制砂微粉生產(chǎn)企業(yè)主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。

　　碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗達(dá)到世界水平。黑、綠碳化硅原塊的質(zhì)量水平也屬。碳化硅與世界先進(jìn)水平的差距主要集中在四個(gè)方面：一是在生產(chǎn)過程中很少使用大型機(jī)械設(shè)備，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅產(chǎn)量較低；二是在碳化硅深加工產(chǎn)品上，對(duì)粒度砂和微粉產(chǎn)品的質(zhì)量管理不夠精細(xì)，產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性不夠；三是某些產(chǎn)品的性能指標(biāo)與發(fā)達(dá)同類產(chǎn)品相比有一定差距；四是冶煉過程中一氧化碳直接排放。國(guó)外主要企業(yè)基本實(shí)現(xiàn)了封閉冶煉，而碳化硅冶煉幾乎全部是開放式冶煉，一氧化碳全部直排。2012年，企業(yè)開發(fā)出了封閉冶煉技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了一氧化碳全部回收，但是距離全行業(yè)普及還有很長(zhǎng)的路要走。

　　根據(jù)機(jī)床工業(yè)協(xié)會(huì)磨料磨具專委會(huì)碳化硅專家的數(shù)據(jù)，截至2012年底，全球碳化硅產(chǎn)能達(dá)260萬噸以上，產(chǎn)能達(dá)到1萬噸以上的有13個(gè)，占全球總產(chǎn)能的98%。其中碳化硅產(chǎn)能達(dá)到220萬噸，占全球總產(chǎn)能的84%。
碳化硅冶煉企業(yè)主要分布在甘肅、寧夏、青海、新疆、四川等地，約占總產(chǎn)能85%。
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