（徐州石榴石）產品信息（徐州金剛砂）
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。
更重要的是，操作相對簡單，使用電線圈作為啟動和調節溫度的補充熱源，無需氣體燃燒器。催化劑類型涵蓋重金屬和賤金屬，一定時期內它們可發揮效力，通常催化劑的使用有效期為三到四年。催化劑成本也需要列入催化劑焚燒爐的使用周期。此外，由于存在大量可能污染催化劑或降低催化劑效力的廢氣如鹵素、金屬、非溶劑型樹脂膠等，因此合理的判斷和選擇是至關重要的。蓄熱式焚燒爐(RTO)蓄熱式焚燒爐是適用的焚燒爐。無論是預熱階段還是燃燒過程中，RTO能夠限度地實現熱回收，減少輔助燃料消耗。
關于COD標準，美國水污染控制協會建議值為75mg/L，我國研究人員提出一類標準為4mg/L，二類標準為6mg/L，還有些企業提出2mg/L的指標。相關研究表明，石油化工二級處理的污水經深度處理后(COD平均為44mg/L)回用于循環水時，微生物的生長繁殖狀況與自來水相近，沒有出現大量繁殖的情況。主要原因是回用水中有機物不易被微生物降解，即不能作為微生物代謝的碳源，因此不必對回用水的COD提出過高的要求，建議采用4mg/L。
通過了解電子工業排放揮發性有機物(VOCs)所帶來的主要環境問題和污染技術進展情況，認為VOCs污染減排是有技術支持的，經過對行業排放標準缺失和治污效果等問題的思考，建議制定電子工業VOCs排放標準或技術規范，將電子行業納入VOCs排污收費試點范圍，結合行業產污關鍵環節進行污染治理。業概況是世界上大電子產品消費國，也是世界電子產品制造大國。進入21世紀以來，我國在通訊、高性能計算機、數字電視等領域取得一系列重大技術突破，電子及通訊設備制造業的產業規模、產業結構、技術水平均得到大幅提升，成為全球的制造基地，目前主要產品如手機、程控交換機、微型計算機、顯示器、彩電、激光視盤機等產量在上均拔得頭籌。14年規模以上通信設備、計算機及其他電子設備制造業行業總資產為58168.5億元，同比增長14.58%。生的污染物近年來，我們參加了部分電子工業VOCs調查，對企業的涂裝工序VOCs產生點、廢氣集中處理設施進出口排放點、企業內外環境現狀質量等進行現場VOCs監測。1排放物質指標較多在涂裝或者噴涂車間排氣筒出口、尾氣VOCs處理設施進出口、涂裝車間裝置區域、調漆房、廠界上風、廠界下風等點位采集樣品，經過監測數據分析，發現電子工業排放污染物包括甲苯、二甲苯、三甲苯、乙酸丁酯、甲基異丁酮、異丙醇和環己烷等多種化學物質。
