1.2集成電路的誕生

  幾根零亂的電線將五個電子元件連接在一起，就形成了歷史上個集成電路。雖然它看起來并不美觀，但事實證明，其工作效能要比使用離散的部件要高得多。歷史上個集成電路出自杰克-基爾比之手。當時，晶體管的發(fā)明彌補了電子管的不足，但工程師們很快又遇到了新的麻煩。為了制作和使用電子電路，工程師不得不手工組裝和連接各種分立元件，如晶體管、二極管、電容器等。

其實，在20世紀50年代，許多工程師都想到了這種集成電路的概念。美國仙童公司聯(lián)合創(chuàng)始人羅伯特-諾伊斯就是其中之一。在基爾比研制出塊可使用的集成電路后，諾伊斯提出了一種“半導體設備與鉛結構”模型。1960年，仙童公司制造出塊可以實際使用的單片集成電路。諾伊斯的方案最終成為集成電路大規(guī)模生產中的實用技術。基爾比和諾伊斯都被授予“美國國家科學獎章”。他們被公認為集成電路共同。

以后，隨著集成電路芯片封裝技術的應用，解決了集成電路免受外力或環(huán)境因素導致的破壞的問題。集成電路芯片封裝是指利用膜技術及微細加工技術，將芯片及其他重要要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質灌封固定，構成整體立體結構的工藝。這樣按電子設備整機要求機型連接和裝配，實現(xiàn)電子的、物理的功能，使之轉變?yōu)檫m用于整機或系統(tǒng)的形式，就大大加速了集成電路工藝的發(fā)展。

隨著電子技術的繼續(xù)發(fā)展，超大規(guī)模集成電路應運而生。1967年出現(xiàn)了大規(guī)模集成電路，集成度迅速提高；1977年超大規(guī)模集成電路面世，一個硅晶片中已經可以集成15萬個以上的晶體管；1988年，16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段；1997年，300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝，奔騰系列芯片的推出讓計算機的發(fā)展如虎添翼，發(fā)展速度讓人驚嘆，至此，超大規(guī)模集成電路的發(fā)展又到了一個新的高度。2009年，intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。集成電路的集成度從小規(guī)模到大規(guī)模、再到超大規(guī)模的迅速發(fā)展，關鍵就在于集成電路的布圖設計水平的迅速提高，集成電路的布圖設計由此而日益復雜而精密。這些技術的發(fā)展，使得集成電路的發(fā)展進入了一個新的發(fā)展的里程碑。相信隨著科技的發(fā)展，集成電路還會有更高的發(fā)展。[11]