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長(zhǎng)園維安一家國(guó)內(nèi)上市公司，擁有英飛凌的技術(shù)，散熱好，內(nèi)阻低，溫升好，性?xún)r(jià)比高的一

款國(guó)內(nèi)具影響力的MOS原廠(chǎng)

1.通態(tài)阻抗小，通態(tài)損耗小。

由于SJ-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品中SJ-MOS的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導(dǎo)通損耗，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率，SJ-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類(lèi)的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上，優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)的尤為突出。

同等功率規(guī)格下封裝小，有利于功率密度的提高。

首先，同等電流以及電壓規(guī)格條件下，SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積，這樣作為MOS的廠(chǎng)家，對(duì)于同一規(guī)格的產(chǎn)品，可以封裝出來(lái)體積相對(duì)較小的產(chǎn)品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。

其次，由于SJ-MOS的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類(lèi)產(chǎn)品的損耗，因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去，我們?cè)趯?shí)際中往往會(huì)增加散熱器來(lái)降低MOS單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS可以有效的減少發(fā)熱量，減小了散熱器的體積，對(duì)于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品的功率密度。

柵電荷小，對(duì)電路的驅(qū)動(dòng)能力要求降低。

傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對(duì)較大，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)遇到由于IC的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的溫升問(wèn)題，部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC的驅(qū)動(dòng)能力，確保MOSFET的快速導(dǎo)通，我們不得不增加推挽或其它類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)電路，從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS的柵電容相對(duì)比較小，這樣就可以降低其對(duì)驅(qū)動(dòng)能力的要求，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

2.節(jié)電容小，開(kāi)關(guān)速度加快，開(kāi)關(guān)損耗小。

由于SJ-MOS結(jié)構(gòu)的改變，其輸出的節(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過(guò)程中的損耗。同時(shí)由于SJ-MOS柵電容也有了響應(yīng)的減小，電容充電時(shí)間變短，大大的提高了SJ-MOS的開(kāi)關(guān)速度。對(duì)于頻率固定的電源來(lái)說(shuō)，可以有效的降低其開(kāi)通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對(duì)較高的電源上，效果更加明顯

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