IGBT西門康SKiiP35NAB126V1雙向可控硅

上海萱鴻電子技有限公司：

  代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開(kāi)拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù)，在電力電子行業(yè)樹(shù)立了良好的企業(yè)形象，同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠(chéng)信代理商。通過(guò)多年的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，公司積累了堅(jiān)實(shí)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用知識(shí)，為電力拖動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！ 代理品牌 1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；3、CONCEPT、IDC驅(qū)動(dòng)片及驅(qū)動(dòng)板；4、巴斯曼（BUSSMANN)，西門子，日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等；

功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型，一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)速度更快。這將降低開(kāi)關(guān)損耗，從而降低總體損耗。另一方面，選擇較大的柵極電阻可以降低開(kāi)關(guān)速度，比如dvCE/dt或diC/dt。這可使柵極電路中發(fā)生的由寄生雜散電感或耦合電容引起的振蕩減少。因此，必須通過(guò)折中的辦法實(shí)現(xiàn)門極電阻的化配置。然而，只需管理特定的工況點(diǎn)（如臨時(shí)過(guò)載或輕載條件）就已足夠。這些條件的開(kāi)關(guān)速度比應(yīng)用系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)更慢。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)在低負(fù)荷條件下運(yùn)行是典型的輕載條件。由于來(lái)自二極管的換向電流很小所以流入IGBT的正向電流也很小，在對(duì)應(yīng)的IGBT開(kāi)通速度太快時(shí)，可能造成嚴(yán)重振蕩。如果正向電流能達(dá)到標(biāo)稱電流[1]的25%或以上，則這些振蕩可以被大幅度地減弱甚至消除。
推薦的柵極驅(qū)動(dòng)概念
正常的柵極驅(qū)動(dòng)電路，一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)通電流和關(guān)斷電流大小取決于柵極電阻的柵極電流。電流iOUT+給功率晶體管的柵極充電，而電流iOUT-給功率晶體管的柵極放電。

每個(gè)功率晶體管配合兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器，再加上獨(dú)立的開(kāi)通/關(guān)斷電阻，可以作為改進(jìn)功率晶體管性能的簡(jiǎn)單方法。只需使用兩顆柵極驅(qū)動(dòng)芯片，即可實(shí)現(xiàn)開(kāi)通電流能力或關(guān)斷電流能力的改進(jìn)。而且，相比使用功能相同的分立式解決方案，使用柵極驅(qū)動(dòng)芯片還可減輕設(shè)計(jì)工作負(fù)擔(dān)。只需遵循常規(guī)設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，即可獲得開(kāi)通能耗Eon多降低25%和開(kāi)通電流能力獲得改進(jìn)的益處。因此，推薦的柵極驅(qū)動(dòng)概念比常規(guī)解決方案的表現(xiàn)更勝一籌。