- 產品
- 供應
- 公司
- 新聞
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電樂驅動式功率半導體器件并兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大MOSFET驅動功率很小，開關速度閃快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
聯系人：楊先生? 13812020156
機電之家網 - 機電行業權威網絡宣傳媒體
Copyright 2011 jdzj.com All Rights Reserved技術支持：杭州濱興科技有限公司
銷售熱線：0571-28292387 
在線客服：0571-87774297
展會合作/友情連接：0571-87774298
網站服務咨詢：0571-28292385
投訴熱線：400-6680-889(分機7)
網站經營許可證:浙B2-20080178
