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NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
描述
NP1216DR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的RDS（ON）
一般特征
、低柵極電荷和
柵極電壓低至1.8V時(shí)運(yùn)行。這
該裝置適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM
應(yīng)用。? VDS=-12V，ID
R=-16A
DS（ON）（典型值）=18米? @VGS
R=-2.5V
DS（開(kāi)）（典型值）=13m? @VGS
? 高功率和電流處理能力
=-4.5V
? 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
? 表面貼裝封裝
應(yīng)用
? PWM應(yīng)用
? 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包裹
? DFN2*2-6L-B
NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
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