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e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝 KRi 離子源作用
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.
使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實現(xiàn)
增強和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進, 控制薄膜化學(xué)計量, 提高折射率, 降低薄膜應(yīng)力, 控制薄膜微觀結(jié)構(gòu)和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩(wěn)定性, 增加薄膜附著力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.
KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設(shè)備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號: KDC 75
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積
上海伯東美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統(tǒng) (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜
美國 KRi KDC 考夫曼型離子源技術(shù)參數(shù)：
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型號 |
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Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
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離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
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直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
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上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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