KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 輔助濺射沉積 MnZn 鐵氧體薄膜

電子系統(tǒng)在快速發(fā)展, 但是磁性器件二維化而引發(fā)與三維塊材迥異的特性和制備工藝與半導(dǎo)體技術(shù)難以兼容的問(wèn)題仍未能很好的解決. 因此 MnZn鐵氧體作為一種優(yōu)良磁性器件用磁性材料, 對(duì)其進(jìn)行薄膜化并研究其特性, 乃至最終制作成平面化、小型化的磁性器件顯得尤為重要.

四川某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉積 MnZn 鐵氧體薄膜, 用以研究 MnZn 鐵氧體薄膜的低溫晶化、取向生長(zhǎng)等問(wèn)題.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

試驗(yàn)中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 MnZn 鐵氧體薄膜, 沉積過(guò)程中通過(guò)調(diào)節(jié)參數(shù), 從而改變薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到多種規(guī)格的高性能的 MnZn 鐵氧體薄膜材料, 滿足各種試驗(yàn)需求.

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

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