一、物料概述

ESN4485是P溝道增強型MOS場效應晶體管。采用先進的溝槽技術和設計，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉換、電源開關和充電電路。標準產品ESN4485不含鉛。

二、功能特征

1、-40V，RDS（ON）=13 mΩ（Typ），VGS=-10V

               RDS（ON）=17 mΩ（Typ），VGS=-4.5V

2、快速切換

3、低RDS的高密度電池設計（開）

4、材料：無鹵素

5、可靠且堅固

6、雪崩額定值

7、低泄漏電流

三、應用

1、PWM應用

2、負載開關

3、便攜式/臺式電腦的電源管理

4、DC/DC轉換