AP10N10 NMOS SOT89 n溝道增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管

 場(chǎng)效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路中與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。場(chǎng)效應(yīng)管需要的驅(qū)動(dòng)電流比BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路；某次場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。
世微半導(dǎo)體MOS管采用SGT工藝，性能優(yōu)越，品質(zhì)好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過(guò)電流大、抗沖擊能力強(qiáng)、開關(guān)損耗小等的優(yōu)點(diǎn)。
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 Green Device Available
Excellent Cdv/dt effect decline
 Advanced high cell density Trench
technology
The 10N10 is the hig hestp erformance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The meet the RoHS and Green Product
requirement, 100% EAS guaranteed with full
function reliability approved.

內(nèi)阻：85 mΩ