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RV33-1 GE VS驅(qū)動控制電源板

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產(chǎn)品價(jià)格: /人民幣 
最后更新: 2023-05-30 10:21:46
產(chǎn)品產(chǎn)地: 本地
發(fā)貨地: 本地至全國 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
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    產(chǎn)品詳細(xì)說明
      RV33-1 GE VS驅(qū)動控制電源板

      型號:RV33-1

      品牌:GE

      制造商:通用發(fā)那科

      系列:AV-300i

      產(chǎn)品描述

      RV33-1的優(yōu)點(diǎn):小體積,小型化;縮短研發(fā)周期;驅(qū)動電路和IGBT之間連線短,驅(qū)動電路的阻抗低,不需要負(fù)電源;集成了IGBT的驅(qū)動,欠壓保護(hù),過熱保護(hù),過流短路保護(hù),可靠性高。

      RV33-1的缺點(diǎn):過流或者過溫保護(hù)點(diǎn)已經(jīng)定死,如果因?yàn)槟承┨厥獾男枨缶蜔o法作更改,靈活性不夠;IPM只有一個(gè)報(bào)警信號輸出,不能分辨究竟是過熱還是過流還是欠壓等。如果就只有驅(qū)動或者保護(hù)部分電路損壞,但是我們只能無奈的換掉整個(gè)模塊;尤其是大功率IPM的采購成本非常高。

      RV33-1的優(yōu)點(diǎn):采用IGBT架構(gòu)電路結(jié)構(gòu)靈活,過載能力強(qiáng)(其額定電流是在80℃定義,而IPM是在25℃定義的),采購成本低,可以通過調(diào)整驅(qū)動電阻的阻值來取得合適的開關(guān)時(shí)間,以產(chǎn)生最小的EMI和最大的效率。

      RV33-1的缺點(diǎn):體積大,還需要設(shè)計(jì)如驅(qū)動電路、外圍的報(bào)警保護(hù)電路等保證RV33-1的可靠運(yùn)行。因此設(shè)計(jì)難度大,穩(wěn)定性和可靠性很難把握,并且驅(qū)動電源往往需要負(fù)電源,需要提供的電源相對多,布局布線存在困難。

      在高檔的伺服驅(qū)動裝置的研發(fā)中,我們恰恰需要它的靈活性。只有從工藝、電路、布局布線以及軟件上進(jìn)行優(yōu)化,才能打造出可靠穩(wěn)定的硬件平臺。RV33-1的驅(qū)動的結(jié)構(gòu)形式:分離元件;專用集成驅(qū)動電路;光耦驅(qū)動;變壓器驅(qū)動。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展及貼片工藝的出現(xiàn),這類分離元件式的驅(qū)動電路,因結(jié)構(gòu)復(fù)雜、集成化低、故障率高已逐漸被淘汰。光耦器件構(gòu)成的驅(qū)動電路具有線路簡單、可靠性高、開關(guān)性能好等特點(diǎn),在RV33-1驅(qū)動電路設(shè)計(jì)中被廣泛采用。如東芝公司的TLP系列、夏普公司的PC系列,安華高的HCPL系列等。目前已開發(fā)的專用集成驅(qū)動電路,主要有IR公司的IR2136,三菱公司的EXB系列厚膜驅(qū)動。此外,現(xiàn)在的一些歐美廠商在IGBT驅(qū)動電路設(shè)計(jì)上采用高頻隔離變壓器,如CONCEPT的焊機(jī),丹佛斯VLT系列變頻電源。通過高頻變壓器對驅(qū)動電路電源及信號的隔離,增強(qiáng)驅(qū)動電路的可靠性,同時(shí)也有效地防止主電路出現(xiàn)故障時(shí)對控制電路的損壞,故障率低,壽命長,響應(yīng)快。但缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜。

      RV33-1模塊可能由于過電流、過電壓這類異常情況而受損,因此,在RV33-1模塊的運(yùn)用中,設(shè)計(jì)能夠避免這種異常情況從而保護(hù)元件的保護(hù)電路顯得尤為重要。短路保護(hù)通常有兩種方案,一種是通過電流檢測器,如電流傳感器或者互感器直接檢測RV33-1的集電極電流,另外一種通過檢測RV33-1的飽和壓降。在短路電流出現(xiàn)時(shí),為了避免關(guān)斷電流的di/dt過大形成的過電壓,導(dǎo)致IGBT鎖定無效和損壞,以及降低電磁干擾,通常采用軟關(guān)斷技術(shù)。一些驅(qū)動光耦同時(shí)具備這兩種功能,因此采用帶檢測RV33-1的飽和壓降功能驅(qū)動光耦的方案。過電流檢測通過檢測電機(jī)電流來實(shí)現(xiàn)。

      因?yàn)镽V33-1的開關(guān)速度很快,RV33-1關(guān)斷時(shí),或FWD反向恢復(fù)時(shí)會產(chǎn)生很高的di/dt,由模塊周邊的雜散電感引發(fā)L·(di/dt)電壓(關(guān)斷浪涌電壓)。抑制發(fā)生過電壓的原因的關(guān)斷浪涌電壓的方法有:盡量將電解電容器配置在IGBT的附近,減小雜散電感;調(diào)整IGBT的驅(qū)動電路的驅(qū)動電阻,減小di/dt;在RV33-1中加上緩沖電路,吸收浪涌電壓。在緩沖電路的電容器中使用薄膜電容,并配置在RV33-1附近,使其吸收高頻浪涌電壓。


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