IGBT 晶體管 PP IHM I XHP 1 7KV

IGBT 模塊 溝槽型場截止 單開關 1700 V 1800 A 底座安裝 模塊

IGBT 類型   溝槽型場截止
配置  單開關
電壓 - 集射極擊穿  1700 V
電流 - 集電極 (Ic)  1800 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)    2.3V @ 15V，1800A
電流 - 集電極截止    5 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)195 nF @ 25 V
輸入 標準
NTC 熱敏電阻   無
工作溫度  -40°C ~ 150°C
安裝類型   底座安裝
封裝/模塊
供應商器件封裝  模塊


IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售FZ1800R17HE4_B9西門子S120變頻器IGBT模塊
優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售FZ1800R17HE4_B9西門子S120變頻器IGBT模塊
特點：

擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐

FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4

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IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
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