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IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
FZ1200R12HE4PHPSA1
北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
大功率單管IGBT模塊FZ1200R12HE4P
產(chǎn)品特征描述：
產(chǎn)品優(yōu)勢：
IGBT 晶體管 PP IHM I XHP 1.2KV
IGBT 模塊 溝槽型場截止 單開關(guān) 1200 V 1200 A 底座安裝 模塊
IGBT 類型 溝槽型場截止
配置 單開關(guān)
電壓 - 集射極擊穿 1200 V
電流 - 集電極 (Ic) 1200 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on) 2.3V @ 15V，1200A
電流 - 集電極截止 5 mA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)195 nF @ 25 V
輸入 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻 無
工作溫度 -40°C ~ 150°C
安裝類型 底座安裝
封裝/模塊
供應(yīng)商器件封裝 模塊
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售
IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
特點(diǎn)：
擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
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FZ1200R17KE3_S1
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北京京誠宏泰科技有限公司
FZ2400R17HP4_B9
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IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
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FZ3600R17HE4
北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
FZ1800R17HP4_ B9
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FZ2400R17HP4
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FD1000R33HE3-K
FZ1500R33HE3
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FZ1000R33HL3
FZ1500R33HL3
FZ1200R45HL3_S7
北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊FZ1200R17HE4P晶體管
DD1200517H4_B2
DD800S17H4_B2
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