TT105N12KOF晶閘管和可控硅功率igbt半導體模塊德國英飛凌

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功率半導體的柵極電阻選型，一般有兩個優化目標。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導體的開關速度更快。這將降低開關損耗，從而降低總體損耗。另一方面，選擇較大的柵極電阻可以降低開關速度，比如dvCE/dt或diC/dt。這可使柵極電路中發生的由寄生雜散電感或耦合電容引起的振蕩減少。因此，必須通過折中的辦法實現門極電阻的化配置。然而，只需管理特定的工況點（如臨時過載或輕載條件）就已足夠。這些條件的開關速度比應用系統正常運行時更慢。
電機驅動在低負荷條件下運行是典型的輕載條件。由于來自二極管的換向電流很小所以流入IGBT的正向電流也很小，在對應的IGBT開通速度太快時，可能造成嚴重振蕩。如果正向電流能達到標稱電流[1]的25%或以上，則這些振蕩可以被大幅度地減弱甚至消除。
推薦的柵極驅動概念
正常的柵極驅動電路，一個柵極驅動器的開通電流和關斷電流大小取決于柵極電阻的柵極電流。電流iOUT+給功率晶體管的柵極充電，而電流iOUT-給功率晶體管的柵極放電。

每個功率晶體管配合兩個柵極驅動器，再加上獨立的開通/關斷電阻，可以作為改進功率晶體管性能的簡單方法。只需使用兩顆柵極驅動芯片，即可實現開通電流能力或關斷電流能力的改進。而且，相比使用功能相同的分立式解決方案，使用柵極驅動芯片還可減輕設計工作負擔。只需遵循常規設計準則，即可獲得開通能耗Eon多降低25%和開通電流能力獲得改進的益處。因此，推薦的柵極驅動概念比常規解決方案的表現更勝一籌。