GaN FET 的柵極與硅 FET 的源極相連,在硅 FET 的柵極施加開啟與關(guān)閉柵極脈沖 封裝內(nèi)串接硅 FET 的主要優(yōu)勢在于,使用傳統(tǒng)的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器(如 UCC5350-Q1)驅(qū)動(dòng)硅 FET 可以解決許多柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源問題 共源共柵型 GaN FET 的主要缺點(diǎn)是 FET 的輸出電容較高,并且由于體二極管的存在,易受反向恢復(fù)的影響 4、將開發(fā)板文件系統(tǒng)同步到開發(fā)環(huán)境中的文件系統(tǒng)中 開發(fā)環(huán)境文件系統(tǒng)路徑如下:homeforlinx3399OK3399-desktop-releaserootfstarget 開發(fā)板執(zhí)行命令:rsync -avx \