佛坪礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.431.1 光纜結構型式及其名稱

GYTA33—金屬加強構件、松套層絞填充式、鋁-聚乙烯粘結護套、單細圓鋼絲鎧裝、聚乙烯套通信用室外光纜

1.2 佛坪礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43規格要求

1.2.1光纜中的光纖應是符合GB/T9771規定的B1.3類（即波長段擴展的非色散位移單模光纖）的單模光纖。

1.2.2光纜中的光纖數為用戶要求的芯數。

1.3 佛坪礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43結構要求

1.3.1 光纜應由層絞結構的纜芯和護層兩大部分構成，其中，護層又包括護套和外護層。

1.3.2 光纜應是全截面阻水結構，即水在纜芯和護層中都不能縱向滲流，但鋼絲鎧裝部分可除外。

1.3.3 同批、同塑式規格的光纜產品應具有相同結構排列和相同識別色譜。

1.3.4 纜芯通常包括中心加強構件、松套光纖絞層（含可能有的填充繩）、可能有的扎紗、包帶、內襯套等。

1.3.5 用于成纜的單模光纖的涂覆層結構及其剝除力、光纖強度篩選水平及其動態疲勞參數nd值、模場直徑和尺寸參數、截止波長、宏彎損耗和色散等應符合GB/T9771 有關規定。

1.3.6 金屬加強構件宜用高強度單圓鋼絲，也可用由高強度鋼絲構成的l×7單股鋼絲繩。高強度鋼絲宜是不銹鋼絲，也可以是磷化鋼絲，其表面應圓整光滑。單鋼絲的楊氏模量應不低于190GPa，鋼絲繩的有效楊氏模量應不低于170GPa。在光纜制造長度內金屬加強構件不允許接頭。

1.3.7 外護層由鎧裝層和外套組成。外套應是黑色聚乙烯套，其材料應采用線性低密度、中密度或高密度聚乙烯護套料，并應分別符合GB 15065或YD/T1485規定。33型外護層光纜應在護套外施加一層螺旋層絞的細圓鍍鋅鋼絲鎧裝層，然后在鎧裝層外擠包一層黑色聚乙烯套，鋼絲鎧裝層宜采用涂覆、填充或（和）浸漬等方法進行防腐蝕。鋼絲直徑應在0.8mm~2.9mm選定。聚乙烯套厚度的標稱值為2.0mm，值應不小于1.6mm，任何橫斷面上的平均值應不小于1.8mm。

1.3.8 光纜外徑應不大于20mm。

1.3.9 光纜外表光滑無瑕疵，外形呈均勻圓度，不能出現菱形或橢圓形等不規則外形。

1.4光纜中光纖的技術性能要求

光纜中光纖的技術性能要求見下表1.1：

   佛坪礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43光纖的技術性能     表1.1

1.5光纜的主要技術性能

1.5.1光纜的拉伸（張力）、絕緣電阻、耐壓強度指標應符合標準要求。光纜的機械性能指標見下表1.2：

光纜機械性能表     表1.2

表中短期拉伸（張力）是指纜內光纖的延伸率應≤0.15%，長期拉伸（張力）是指光纜拉伸應變應≤0.2%，同時光纜內的每根光纖的拉伸應變≤0.05%。光纜短期張力解除后，在1310nm和1550nm時所有光纖上測得的衰耗應無變化。

1.5.2光纜應經過沖擊、反復彎曲、扭轉、卷繞、彎折、振動等各項試驗后，應能滿足檢驗標準，光纜護層應無裂紋或破損，且結構無損壞，纜內所有光纖應無衰減變化。光纜的技術性能見下表1.3：

佛坪礦用屏蔽雙絞線MHYVRP2*2*7/0.43光纜技術性能     表1.3

1.6 適用性要求

1.6.1 應采用符合GB/T7424、GB/T9771、GB/T15972和YD/T901標準規定的光纜光纖。

1.6.2 標稱工作波長：1310nm、1550nm

1.7 適用場合：適用于野外一般自然條件下長途直埋敷設，以及介于直埋間的橋梁、管道和局部架空敷設。
一般小型的單相固態繼電器的控制電流在10~40A。一般1~為電源來的進線，2~為輸出到負載的線，它內部為一雙向晶閘管，即使1~與2~兩樁接錯了也可以正常用。并且它的3十4一的驅動電流要求不大，即只需要給它輸入一個很小的信號，即可完成對電路系統的控制。注意它的3十4一兩個接線端子不能接錯，否則不能工作。由于固態繼電器有上述特性，因此可由TTL、CMos等數字電路來直接驅動，所以固態繼電器在數字程控裝置、數據處理系統的終端及其它工業自動控制系統中被廣泛采用。

澳門礦用單模阻燃光纜MGTSV-6B澳門