施耐德端子BMXFCW1001

在（b）和（e）中，由于兩個導通的MOSFET成為電流路徑，因此，損耗為導通的MOSFET的導通電阻之和×電流的平方。

在（d）中，由于電流經由兩個MOSFET的寄生二極管，因此損耗是各寄生二極管的VF之和×電流。

在（c）中，由于電流經由導通的MOSFET和關斷的MOSFET的寄生二極管，因此損耗是導通的MOSFET的導通電阻×電流的平方＋關斷的MOSFET的寄生二極管的VF×電流。

● 轉換時的損耗

這項有些復雜。 ?通常，開關損耗可以通過以下公式來計算。

轉換時的損耗=0.5×Ea×I×（tr+tf）×fsw

Ea：施加電壓，I：電流，tr：上升時間，tf：下降時間，fsw：開關頻率

但是，tr和fr需要根據實際波形求得，而實際波形并不總是如圖所示的整齊線形，因此需要考慮到這一點。另外，對施加的電壓和電流進行實際測量更能獲得可靠的結果。

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●轉換時的損耗和噪聲

從前面的公式可以看出，隨著上升時間tr和下降時間tf變快，轉換損耗（即開關損耗）會變小。開關速度（壓擺率）越快，開關損耗越小，最終功耗越小=效率越高，但另一方面，開關噪聲也會增加。這是因為效率和噪聲之間存在此起彼消的矛盾關系，因此需要在兩者之間找到折衷方案。