Gate turn-off Thyristor
5SGA 20H4502
VDRM?= 4500 V
ITGQM?= 2000 A
ITSM?= 13 kA
VT0?= 1.80 V
rT?= 0.85 m?
VDClin?= 2200 V
· 自由漂浮硅技術(shù)
· 低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
· 環(huán)形閘極
· 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼
· 宇宙輻射耐受等級(jí)
門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀(jì)80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過(guò)門(mén)極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO?的生產(chǎn)始于?20?世紀(jì)?80?年代中期。GTO?是一種晶閘管，向門(mén)級(jí)反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導(dǎo)通。
GTO?經(jīng)過(guò)優(yōu)化，傳導(dǎo)損耗很低。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開(kāi)關(guān)頻率在?200?-?500?赫茲范圍內(nèi)。GTO?本質(zhì)上是相對(duì)較慢的開(kāi)關(guān)。從開(kāi)到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時(shí)間在?10?-?30?微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO?的導(dǎo)通和關(guān)斷都需要稱(chēng)為“緩沖器”的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。導(dǎo)通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO?需要一個(gè)限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)就是電容器。日立能源所有的?GTO?都是壓接封裝器件。以大力將?GTO?壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
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