上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門康、西門子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊，咨詢熱線：。

　　三菱系列：

　　1 IGBT額定電壓的選擇

　　三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后，直流電壓的值：

　　在開關(guān)工作的條件下，fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1 電壓等級的IGBT。

　　2 IGBT額定電流的選擇

　　以30kW器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動或加速時，電流過載，一般要求1分鐘的時間內(nèi)，承受1.5倍的過流，擇負(fù)載電流約為 ，建議選擇電流等級的IGBT。

　　3 IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

　　的開關(guān)頻率一般小于10 kH Z，而在實(shí)際工作的過程中，fGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT，以30 kW ，逆變頻率小于10kH z的變頻器為例，選擇IGBT的開關(guān)參數(shù)見表1。

　　4 影響IGBT可靠性因素

　　1）柵電壓。

　　IGBT工作時，必須有正向柵電壓，常用的柵驅(qū)動電壓值為15～187，用到20V， 而棚電壓與柵極Rg有很大關(guān)系，在設(shè)計IGBT驅(qū)動電路時， 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值，設(shè)計合適驅(qū)動參數(shù)，保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系，正向柵電壓越高，開通損耗越小，正向壓降也咯小。

　　在橋式電路和大功率應(yīng)用情況下，為了避免干擾，在IGBT關(guān)斷時，柵極加負(fù)電壓，一般在-5- 15V，保證IGBT的關(guān)斷，避免Miller效應(yīng)影響。

　　2）Miller效應(yīng)。

　　為了降低Miller效應(yīng)的影響，在IGBT柵驅(qū)動電路中采用改進(jìn)措施：（1）開通和關(guān)斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off，確保IGBT的有效開通和關(guān)斷；（2）柵源間加c，對Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放；（3）關(guān)斷時加負(fù)柵壓。在實(shí)際設(shè)計中，采用三者合理組合，對改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。

　　5 結(jié)束語

　　（1）IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關(guān)器件，也是逆變器中主要工作器件，合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提，同時，要根據(jù)三相逆變電路結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，選擇低通態(tài)型IGBT為佳。