中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ?是一種電子元件，主要用于電池管理系統和電源管理、消費適配器、電子工具和DC/DC 轉換器。其工作原理基于增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），通過控制柵極電壓來調節源極和漏極之間的導電通道，從而實現電流的控制。

功能特性：

? 設備額定電壓VDS:=30V,連續工作時漏極電流上限 ID = 8A

? 導通電阻=15mΩ (typ.) 柵源電壓= 10V, 漏極電流 = 8A

導通電阻=25mΩ (typ.) 柵源電壓= 4.5V, 漏極電流 = 6A

? 專有高密度溝槽技術

?環保標準?：符合RoHS 標準，無鉛封裝，環保性能良好，不含鹵素或鹵素含量極低

封裝：SOP-8L

參數：

?VDS（Drain-Source Voltage）?：30V
?VGS（Gate-Source Voltage）?：±20V
?ID（Continuous Drain Current）?：Tc=25°對應最大漏極電流上限8.9A,Tc=70°對應漏極電流上限最大值7.1A
?IDM（Pulsed Drain Current）：64A
PD（Total Power Dissipation）?：TC = 25℃ 對應2.15W,TA = 70℃對應0.86W
EAS單脈沖雪崩能量:8mJ
RθJA熱阻:58°C\W
RθJL:結到殼的熱阻:20°C\W
?TJ?\TSTG?:-55 to +150°C
注：電氣特性 除非另有說明，TC=25℃