Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 用于提升碳化硅微光學(xué)元件的品質(zhì)

某光學(xué)元件制造商為了優(yōu)化碳化硅微光學(xué)元件, 降低碳化硅微光學(xué)元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE技術(shù)參數(shù):

該制造商采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)：

* 可選: 可調(diào)角度的支架

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 配的是 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蝕室的真空度.

其產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

1.結(jié)構(gòu)緊湊但功能強(qiáng)大的渦輪泵，用于 N₂ 時(shí)的最高抽速可達(dá) 685 l/s

2.最佳真空性能，最低功耗

3.集成的帶 Profibus 的驅(qū)動(dòng)電子裝置 TC 400

4.可在任何方向安裝

5.帶有集成型水冷系統(tǒng)以保證最大氣體流量

6.通過 M12 插接頭的 Profibus 連接

7.廣泛的配件擴(kuò)展使用范圍

運(yùn)行結(jié)果:

1. 經(jīng)過 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 對(duì)碳化硅微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度, 使結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！