Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片

產(chǎn)品價(jià)格：	11/人民幣
最后更新：	2020-11-24 14:19:41
產(chǎn)品產(chǎn)地：	日本
發(fā)貨地：	本地至全國(guó) (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長(zhǎng)期有效
最少起訂：	1
瀏覽次數(shù)：	147

公司基本資料信息

伯東企業(yè)(上海)有限公司
羅先生
會(huì)員[試用會(huì)員產(chǎn)品]
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手機(jī)15201951076
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傳真
地址上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室 201206

產(chǎn)品詳細(xì)說明

某芯片實(shí)驗(yàn)室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題, 引進(jìn)伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:

真空腔	1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源	? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
極限真空	≦1x10-4 Pa
刻蝕性能	一致性: ≤±5% across 4”

該實(shí)驗(yàn)室采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：

離子源型號(hào)	離子源 KDC 75
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>250 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	7.5 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	20.1 cm
直徑	14 cm
中和器	燈絲

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

試驗(yàn)結(jié)果:

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問題,并提高了刻蝕速率。

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上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
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