Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 用于光學器件精密加工

產(chǎn)品價格：	2000000/人民幣
最后更新：	2020-12-04 16:16:31
產(chǎn)品產(chǎn)地：	日本
發(fā)貨地：	本地至全國 (發(fā)貨期：當天內發(fā)貨)
供應數(shù)量：	不限
有效期：	長期有效
最少起訂：	1
瀏覽次數(shù)：	120

公司基本資料信息

伯東企業(yè)(上海)有限公司
羅先生
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產(chǎn)品詳細說明

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 用于光學器件精密加工

某光學器件制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應用于光學器件精密加工, 通過蝕刻工藝提高光學器件的聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數(shù)

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	均勻性	±5%
	硅片刻蝕率	20 nm/min
	樣品臺	直接冷卻,水冷
	離子源	Φ20cm 考夫曼離子源

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):

離子源型號	RFICP 220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
中和器	LFN 2000

采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.

若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
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