- 產品
- 供應
- 公司
- 新聞
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:
|
基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
|
樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
|
離子源 |
16cm 考夫曼離子源 |
|
均勻性 |
±5% for 4”Ф |
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
.jpg)
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術參數：
|
離子源型號 |
|
|
Discharge |
DC 熱離子 |
|
離子束流 |
>650 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
中和器 |
燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 可以去除損傷層, 保持原有黑硅結構的基礎上使表面結構更加光滑.
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究!
