hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 用于氮化硅刻蝕工藝研究

產(chǎn)品價(jià)格：	11/人民幣
最后更新：	2020-12-22 16:03:11
產(chǎn)品產(chǎn)地：	日本
發(fā)貨地：	本地至全國(guó) (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長(zhǎng)期有效
最少起訂：	1
瀏覽次數(shù)：	107

公司基本資料信息

伯東企業(yè)(上海)有限公司
羅先生
會(huì)員[試用會(huì)員產(chǎn)品]
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產(chǎn)品詳細(xì)說明

重慶某研究所在在氮化硅刻蝕工藝研究中采用 hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:

真空腔	1 set, 主體不銹鋼,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,
離子源	? 8cm 考夫曼離子源 KDC75
離子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
極限真空	≦1x10-4 Pa
刻蝕性能	一致性: ≤±5% across 4”

該 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：

離子源型號(hào)	離子源 KDC 75
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>250 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	7.5 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	20.1 cm
直徑	14 cm
中和器	燈絲

針對(duì)氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問題, 為了提高氮化硅對(duì)二氧化硅的刻蝕選擇比, 采用 CF4, CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅, 通過調(diào)整氣體流量比, 腔內(nèi)壓強(qiáng)及功率, 研究其對(duì)氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對(duì)二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數(shù)的影響.

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上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
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