KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質膜

某紅外半導體鍍膜工業廠商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質膜, 以提高鍍膜厚度的均勻性. 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

提高鍍膜均勻性的重要性：

以碲鎘汞半導體材料為代表的紅外探測器器件工藝中, 幾乎都要進行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關重要的作用.  在背照式紅外探測器的紅光收面, 往往都要涂鍍一層或數層介質膜, 以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用, 介質膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬. 

為了提高均勻性, 客戶同時采用基片離心旋轉法, 樣品臺轉速為 15 r/min. 

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

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