KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜

某紅外半導(dǎo)體鍍膜工業(yè)廠商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜, 以提高鍍膜厚度的均勻性. 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量

提高鍍膜均勻性的重要性：

以碲鎘汞半導(dǎo)體材料為代表的紅外探測(cè)器器件工藝中, 幾乎都要進(jìn)行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對(duì)于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用.  在背照式紅外探測(cè)器的紅光收面, 往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜, 以起到對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)和對(duì)紅外輻射減反射的作用, 介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會(huì)影響探測(cè)器的濾光和接收帶寬. 

為了提高均勻性, 客戶同時(shí)采用基片離心旋轉(zhuǎn)法, 樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速為 15 r/min. 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

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