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| 目標尺寸 | φ10mm×長17mm |
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| 基板尺寸 | 2英寸（50mm） |
| 成膜速度 | 0.01 nm/s ～ 0.3 nm/s *1 |
| 膜厚分布 | 對于Fe:< ±10%（φ20mm區域）*1 |
| 成膜材料 | 一般導電材料*2 |
＊1 目標到電路板距離80mm時
＊2 靶比電阻0.01歐姆或更小
設備配置圖
※電源和控制器安裝在機架中
實施例1 增設至真空室
例2本公司裝置增設到APD-1P
| 1A | 2A | 3A | 4A | 5A | 6A | 7A | 8 | 1B | 2B | 3B | 4B | 5B | 6B | 7B | 0 | |||
| 1 | H | He | ||||||||||||||||
| 2 | Li | Be | B | C | N | O | F | Ne | ||||||||||
| 3 | Na | Mg | Al | Si | P | S | Cl | Ar | ||||||||||
| 4 | K | Ca | Sc | Ti | V | Cr | Mn | Fe | Co | Ni | Cu | Zn | Ga | Ge | As | Se | Br | Kr |
| 5 | Rb | Sr | Y | Zr | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag | Cd | In | Sn | Sb | Te | I | Xe |
| 6 | Cs | Ba | Lanthanoid | Hf | Ta | W | Re | Os | Ir | Pt | Au | Hg | TI | Pb | Bi | Po | At | Rn |
| 7 | Fr | Ra | Actinoid | |||||||||||||||
已實現 使用條款有限
