KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 制備 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層

某科研機構在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助鍍膜設備濺射沉積 ZrB2 涂層.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

研究利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀、膠帶粘附性剝離等方法測定了沉積 ZrB2 涂層的厚度、形貌、物相結構、成分、附著力以及沉積速率等性能參數, 研究了各濺射工藝條件如芯塊表面清潔度、濺射氣體壓力、濺射功率密度和轉鼓轉速對ZrB 涂層沉積率和附著力的影響.

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

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