（石景山石榴石濾料）品種齊全,（石景山金剛砂）
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。β-碳化硅，立方晶系結構，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成，結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上，因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目，而另一種碳化硅，μ-碳化硅為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至今日，這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化，且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅[1]。此外，它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點，使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色，而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂(也稱：石榴子石)的成分不同。在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成)，且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。
MVR是現時效率的蒸發技術，但投資和營運的費用仍然較高。所以當務之急是要在第三階段提高濃縮比，減少蒸發量。先來看下成本。蒸發工段的投資和運行成本蒸發回收是整個零排放工藝要求的終環節。為了節省成本業界一般采用MVR。具規模的MVR建造成本在6~7萬元/(ht)-1。除此之外，運行費用也需要考慮。MVR使用蒸汽再壓縮技術，提高蒸汽使用率，效益的MVR進液蒸發成本約6~8元/t。目前膜濃縮存在的問題為降低蒸發量，有些廠家采用RO膜技術進行濃縮。
其具體流程為：排入調節池的脫硫廢液，泵壓至投加了脫硫脫氰藥劑的脫硫脫氰反應器，反應后可去除廢水中大部分的S2-和CN-；從脫硫脫氰反應器出來廢水通過pH調節進入沉降反應器，底部沉淀污泥通過臥螺離心機進入污泥儲槽。離心機頂部出水經過轉換反應器，轉為溶解度更低的產物，從而降低藥劑消耗和提高去除效果，轉化后進入深度脫氰反應器中與深度脫氰藥劑繼續反應，脫除廢水中殘余的CN-。深度脫氰反應器底部排泥進入臥螺離心機與沉降反應器產生的沉淀污泥進行集中處理，頂部出水并入焦化廢水處理系統進行繼續處理。
其導熱能力已遠遠超過任何已知金屬的導熱能力。半導體制冷半導體制冷就是利用一種特制的半導體制冷片在通電時產生溫差來制冷，只要高溫端的熱量能有效的散發掉，則低溫端就不斷的被冷卻。在每個半導體顆粒上都產生溫差，一個制冷片由幾十個這樣的顆粒串聯而成，從而在制冷片的兩個表面形成一個溫差。利用這種溫差現象，配合風冷/水冷對高溫端進行降溫，能得到的散熱效果。半導體制冷具有制冷溫度低、可靠性高等優點，冷面溫度可以達到零下1℃以下，但是成本太高，而且可能會因溫度過低導致造成短路，而且現在半導體制冷片的工藝也不成熟，不夠實用。
